Quelqu’un pourrait-il me dire s’il y a un équivalent « silicium » des transistors germanium AC141K/AC142L, AC187/188, AC187K/188K et AC127/128 ? Je sais qu"il y a une différence entre le 0.3V de l’un et le 0.6V de l’autre mais en transistors de sortie, n’y a-t-il pas de références modernes qui marchent ? Car le contact soit-disant en or sur le germanium (pour ne pas dire en métal doré) s’oxyde. Résultat: ça commence avec du souffle, et ça se termine par une coupure nette (quand on tappe sur le transistor, il arrive qu’il se remette à fonctionner, le contact se rétablissant alors pour un court moment).
Il est en general possible de remplacer des Ge par des Si en prenant garde à deux problèmes:
Le plus facile
Il faut d’abord trouver des transistors équivalents sur le plan intensité collecteur et tension base collecteur et bien sur de la bonne polarité.
Mais ou cela se complique c’est au niveau du gain en courant Beta.
En général les silicums ont un bèta inférieur aux germaniums surtout pour les modèles de moyenne puissance: exemple les étages de sortie BF de l’ordre du watt. Si les paramètre sont trop éloignés on manqura de gain, de puissance et en plus distortions…
Il faut quelquefois utiliser des super bèta ou des darlingtons en dernier recours, mais la tension de saturation de ces modèles réduira la puissance de sortie et cela d’autant plus que la tension générale d’alimentation de l’appareil est peu élévée. Gaffe aux appareils sur pile…
Le deuxième écueil est la polarisation, il faut tout revoir au niveau du pont de polar sur tout pour les appareils sur pile ou ca consommation est comptée sans cela on ne se « tiendra pas » de piles…
Changer les résistances et s’il y a une résistance CTN ou CTP pour la compensation de température dans le pont la supprimer car son coefficient de temperature n’est pas du tout adapté au silicium.
On la remplacera par des diodes silicium, autant que de jonctions base émetteur a polariser, ou un transistor avec un pot de 10K connecte entre collecteur et emetteur le curseur raccordé à la base.
Ces éléments seront places au même endroit que la CTN et dans l’autre branche du pont s’il y avait une CTP.
Ne pas oublier de coupler thermiquement ces éléments avec le radiateur portant les transistors de puissance.
Moyennant ces précautions cela marche très bien.
CTN: résistance a coéfficient de température négatif.
CTP: résistance a coéfficient de température positif.
Les transistors au silicium deviennent plus rares de nos jours, et je pense qu’il n’est pas plus difficile de trouver aujourd’hui les paires complémentaires AC127/AC128 ou AC187/AC188 au germanium que leurs équivalents silicium.
Pour le béta le silicium est éffectivement plus performant pour les basses puissances inferieures a 500mW mais dans le cas des fortes puissance on a trouve des bétas superieurs dans le germanium.
exemple:
La paire de sortie classique germanium AD161/162
Icm 2,5 A, Béta de 50 a 300 à 0,5 A
Un équivalent silicium TIP31/32
Icm 3 A Béta de 20 a 100 à 1 A
Un équivalent silicium TIP29/30
Icm 1 A Béta de 40 a 200 à 0,2 A
Il faut quand même faire attention les Ge ne sont pas aussi « pourris » que ce qu’on a dit trop souvent.
Par contre dans les petites puissances il n’y a pas photo le Si l’emporte.
Je ne suis pas vraiment fâché avec les Ge, mais je commence à en avoir marre du même problème de microphonie et coupures intempestives sur les mêmes références de drivers et sorties BF. Effectivement je mets d’autres Ge à la place, j’ai des couples 187K/188K de rechange ainsi que des 127/128 mais quand il est question de 141/142 et similaires c’est plus compliqué, à mois que quelqu’un connaisse un endroit pas cher pour se les procurer…
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