Bonjour 73,
Pour un étage de sortie à 1 transistor en classe AB , la relation donnant l’impédance est donnée par : Zout = Vcc² / (2 *Po) avec Zout Impédance de sortie en Ohms , Vcc tension d’alimentation et Po puissance de sortie voulue en Watts.
Qu’en est il de l’impédance de sortie dans le cas d’un push pull entre les deux drains d’un MOSFET ?
Il me semble que la même formule devrait s’appliquer mais besoin de confirmation.
Merci à ceux qui savent 
Emmanuel F4FIT
Bonjour
À peu de choses près c’est identique mais ce n’est pas seulement Vcc qui entre dans le calcul , on doit tenir compte de la tension de déchet
Merci Georges !
C’est pour un QRP (QRO 10 Watts) qui est à l’étude sur l’établi : mon TP d’hiver HI!
J’ai remarqué au cours de diverses consultations sur le net qu’il y avait pas mal « d’empirique » concernant l’adaptation d’impédance par transfo large bande pour les push pull HF.
Je garde donc Vcc² / 2 * Po
Encore merci!
73 QRO
Emmanuel
Les deux impédances individuelles s’additionnent.
Ne pas oublier que pour 10W au total, on n’a que 5W par transistor.
Il est facile de faire différents essais en variant le rapport de transformation en sortie pour vérifier le résultat.
Le mien en cours :
Comme je dis plus haut et que tu me confirme , il y a une part d’empirique pour optimiser .
Le calcul permet quand même d’avoir une base de départ quitte à rajouter une ou deux spires et les enlever ensuite (plus facile de débobiner que d’en rajouter )
Le schémas (issue de la simulation LTSpice) :
AMPLI HF QRP.pdf (170,0 Ko)
Le schémas du driver (simu LTSpice) :
Drive modulateur.pdf (175,7 Ko)
Les courbes LTSpice :
Driver signal DSB.pdf (5,4 Mo)
Driver Signal AM.pdf (4,5 Mo)
Spetre CW Ampli 4.5V Input:
Spectre out 7MHz CW 4.5V INPUT.pdf (529,4 Ko)
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