À titre d’info cet article :
Trouvé sur internet dont je vous mets une traduction Google ci-dessous :
Méthodes de modulation de fréquence
La fonction principale d’un générateur de modulations de fréquence est de traiter une porteuse à fréquence de sortie variable, la variation de fréquence étant proportionnelle à la valeur instantanée de la tension de modulation. Les méthodes de modulation de fréquence pour produire une modulation de fréquence peuvent être classées dans deux grandes catégories:
- Méthodes directes
- Méthodes indirectes
Un procédé direct de production de modulation de fréquence utilise un dispositif électronique tel qu’une diode électronique, BJT, FET ou varactor qui se comporte elle-même comme une réactance à tension variable, capacitive ou inductive. Un tel dispositif est placé directement en shunt avec le circuit accordé LC d’un oscillateur. La fréquence de l’oscillateur varie alors en fonction de la tension de modulation appliquée au dispositif entraînant une modulation de fréquence. En ajustant correctement les paramètres du circuit sont les conditions de fonctionnement, une relation presque linéaire peut être obtenue entre l’écart de fréquence et la tension de modulation instantanée.
La méthode indirecte de modulation de fréquence consiste à (i) prédistorsionner la tension de modulation dans une intégration pour faire varier son amplitude inversement à sa fréquence et (ii) faire de cette tension de modulation modifiée moduler en phase la porteuse. Cette méthode de modulation a été suggérée par Armstrong et est donc appelée méthode Armstrong de modulation de fréquence.
Méthodes de modulation de fréquence
Nous considérons ici brièvement (i) la modulation du tube de réactance (ii) la modulation de la réactance en utilisant le BJT et (iii) le modulateur en utilisant la diode varactor.
Modulation du tube de réactance
Avant l’invention du transistor, la modulation par tube de réactance était couramment utilisée pour produire une modulation de fréquence. Cependant, aujourd’hui, il a été presque remplacé par des méthodes utilisant des dispositifs à semi-conducteurs.
Par tube à réactance, on entend un tube électronique qui offre entre les bornes d’anode et de cathode une réactance variant en fonction de la tension de modulation appliquée entre sa grille de commande et sa cathode. Ce tube de réactance est placé en shunt avec le circuit accordé d’un oscillateur. Cette fréquence d’oscillateur varie alors en fonction de la tension de modulation conduisant à une modulation de fréquence.
Le tube de réactance peut être soit un tube de réactance capacitif, soit un tube de réactance inductive selon qu’il offre une réactance capacitive ou une réactance inactive à travers son circuit plaque-cathode. En outre, ce fonctionnement du tube de réactance peut être réalisé en utilisant soit un réseau RC soit un réseau RL. Cependant, le réseau RC est préféré. Ici, nous considérons brièvement le tube de réactance utilisant le réseau RC.
Modulateur de tube de réactance capacitif:
La section de gauche de la figure 1 donne le circuit de base d’un tube de réactance capacitif utilisant la pentode avec un réseau de division de phase RC avec
. Lorsqu’une tension alternative est appliquée entre la plaque et la cathode, le courant alternatif résultant de la plaque dépasse la tension appliquée de 90 0 . Ainsi, le tube se comporte comme une réactance capacitive à la tension alternative appliquée entre sa plaque et sa cathode. Avec une section appropriée des valeurs des composants et des paramètres du tube, la capacité effective offerte par le tube est donnée par,
![C_e = g_m CR C_e = g_m CR](https://forum.retrotechnique.org/uploads/default/original/3X/5/c/5c799bae90b3bd98d4ffb30cbc9287faa4179945.png)
La tension de modulation v m est appliquée à la grille de commande du tube de réactance comme indiqué sur la figure 1. La conductance mutuelle g m varie en fonction de la tension de modulation. Par conséquent, en maintenant C et R constants, la capacité effective C e offerte par le tube de réactance varie. Cette C e commune en parallèle avec le circuit accordé de l’oscillateur. La fréquence générée par l’oscillateur varie donc en fonction de v m, ce qui entraîne une modulation de fréquence.
Un BJT fonctionnant correctement en conjonction avec un circuit de séparation de phase RL ou RC approprié peut être conçu pour offrir une réactance inductive ou capacitive entre son collecteur et ses bornes d’émetteur. La figure 2 montre la réactance capacitive BJT utilisant un réseau de division de phase RC. A la fréquence de fonctionnement X C > R. alors entre les bornes collecteur et émetteur BJT offre une capacité C e . La tension de modulation v m est appliquée en série avec la résistance R du réseau de division de phase RC. Ainsi, lorsque la tension de modulation varie, C e varie. Cette capacité effective C e vient en shunt avec le circuit accordé en parallèle d’un oscillateur. Dans la figure 2, un oscillateur Clappest utilisé. Les selfs RF dans le circuit collecteur sont utilisées pour isoler diverses parties du circuit du courant alternatif tout en fournissant simultanément le chemin CC.
Modulateur de fréquence utilisant une diode varactor
La figure 3 donne un circuit de modulateur de fréquence utilisant une diode varactor. Il utilise la capacité de jonction d’une diode varactor polarisée en inverse placée à travers le circuit accordé de l’oscillateur. La tension de modulation v m est placé en série avec la polarisation fixe V BB . Ensuite, lorsque la tension de modulation v m varie, la polarisation effective totale aux bornes de la diode (V BB + V m) varie et la capacité de jonction varie, entraînant une variation correspondante de la fréquence d’oscillation. Cela forme le circuit modulateur de réactance le plus simple. Il présente cependant l’inconvénient d’utiliser un dispositif à deux terminaux, à savoir la diode, et donc son application est quelque peu limitée. Malgré cela, le circuit est fréquemment utilisé pour le contrôle automatique de la fréquence et pour le réglage à distance.