Bonjour à tous,
la lecture du post suivant :
me fait me poser la question suivante : pourquoi les transistors au germanium ont-ils (quasiment) disparus au profit des transistors silicium?
Moi pas ingénieur 
alors si vous pouviez être simples dans vos réponses.
Merci et bonne soirée
la tenue en T°
le Ge a tres vite chaud et en creve des 80°
on tuait facilement un poste a transistors en le laissant au soleil sur la plage arriere de la voiture ( dans le midi)
Bonjour,
En gros : ce matériau et cette technologie avaient le défaut de produire des transistors ayant un moins bon rapport signal bruit (c’est un gros défaut en hifi …Mais une qualité sur certaines pédales d’effet de guitare) …Et surtout une bien moins bonne stabilité thermique (ils sont bien plus sensible a la chaleur et sujet a emballement aux températures élevés, ne serai ce suite a un oubli sous un grand soleil d’été , ou une soirée endiablée ! )
merci messieurs,
la T°, argument imparable auquel je n’avais pas pensé.
Bonne soirée
et pourtant grâce a sa tres faible tension de seuil il a longtemps damé le pion au silicium
pour les redresseurs fort courant basse tension
pour les convertisseurs DC (basse tension) > AC avec un rendement inégalé .
mais les avancées du silicium avec les jonctions schottky et l’avenement des mos de puissance ont scellé la disparition du GE
le dernier fabriquant connu de diodes et transistors Ge etait au Texas il me semble
il faisant encore de la pub dans les années 90
sous le l’acronyme Oliver Tex Germanium
la societe etait Germanium Power Devices corp. si ma memoire est bonne
Et sur le plan du rendu sonore ,d’aucuns diront que « ça sonne mieux » que le silicium . Evidemment ,le "ça sonne " n 'est pas mesurable ( de lapin).
Bonjour,
effectivement, les semiconducteurs au germanium avaient , dans certains cas particuliers, encore un petit intérêt quand le silicium est arrivé …
Problème de fiabilité (dendrites) :
Tx
Germanium, toujours utilisé!
A quand les amplis HiFi avec des transistors GeSi ? Ça permettrait d’avoir les avantages du germanium et du silicium dans un même transistor 
Ou le contraire 
wiskers
phenomeme bien connu de cette gneration de transistors
ce n’est pas du au Ge mais au type de traitement chimique du boitier
Et surtout le Silicium a permis de développer le procédé dit « planar epitaxial » qui permettait de fabriquer un nombre important de pièces sur une seule plaquette de silicium, ce qui a permis ensuite de faire des circuits intégrés (assemblage de plusieurs transistors et résistances) sur le même principe.
les premières etudes theoriques sur le Si Ge datent de 1955
epoque a lqualle on a demontre mathematiquement les propriétes de cet alliage.
le premier demonstrateur labo doit dater des années 70 et les premieres production industrielle des années 90
date a laquelle on a eu en main les premieres puces
on esperait pouvoir remplacer l’AsGa hors de prix
mais au dela de 2GHz le rendement etait pourri …
je ne sais pas ce que c’est devenu a ce jour
mais d’apres ce que je vois des radars militaire avion l’AsGa y regne toujours
Aux dernières nouvelles, c’était l’architecture AsGaN , qui tendait à prendre le dessus.
Mais le remplacement des équipements existants va encore prendre plusieurs années.
Des essais sur support diamant, et également rubis étaient en cours, mais je n’en sais pas plus.
il y a eu aussi de SiC
il existe qq composants de forte puissance il me semble
Le carbure de silicium était limité en fréquence, me semble-t-il.
L’arséniure de gallium a eu également son heure de gloire dans les années 80, mais le prix était délirant pour des transistors très fragiles.
Un GaS FET MGF1402 m’avait coûté 100 F, à l’époque.
Le transistor AsGa est un mos avec des surface de grille entre 0.1 et 1µm
autant te dire que la moindre decharge electrosatique lui est fatale
c’est son principal probleme en industriel
on a ete oblige de créer des machines de cablage specifiques alimentées par une batterie de 6V et travaillant deconnectées du reseau pour eviter tous les parasites vehicules par le reseau
travail en atmosphere controlée a 60% d’hygrometrie bracelets de masse pour les operateurs , sols conducteurs , chaussures conductrices et blouses avec tissage fil d’agent ou fibre de carbone dans le tissus pour eliminer toute charge electrostatique
un vrai casse tete industriel
merci, je préfère ce terme (moustache) plutôt que dendrite qui est appliqué aux neurones.
En ces périodes de fantasme sur l’IA vaut mieux pas comparer un transistor à un neurone 
.
En tous cas, une fois de plus, je vois qu’il y a des pointures sur ce forum passionnant (un peu moins la rubrique Salon qui tourne souvent en boucle ).
Bonne journée à tous
Jusqu’à 3 ou 4 Ghz, maintenant, des mmic récents, comme le PGA103 permettent de contourner les problèmes de fragilité, avec un facteur de bruit extrêmement faible.
Par 100 pièces, la bête revient à 2,20 euro, port compris.
Entrée 50 Ω, sortie 50Ω, ce qui facilite sérieusement la construction d’amplis RF à très faible bruit.
Pour les fréquences plus élevées, de nouveaux transistors sont fréquemment mis sur le marché.
L’évolution des composants SHF fait de grands bonds, poussée par le besoin croissant de bande passante.
En transistors à faible bruit , la techno SiGe est prometteuse, j’ai fait des préamplis GPS avec des BFP740 particulièrement performants , mais …… le boitier est minuscule
Doctsf (Modèles & Marques)
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