C’est l’approche la plus complète qui ne cherche pas de proposer simplement un un replacement juste équivalent mais saisit l’occasion pour obtenir une meilleure performance.
L’idée de base on la retrouve (sans le filtrage renforcé) sur cette page allemande aussi :
L’utilité de ces capacités en parallèle sur les diodes dépend surtout des diodes employées. Avec les éternelles 1N4007, ces condensateurs n’apportent pas grand chose. Des diodes à avalanche contrôlée sont plus utiles, dans le cas d’un pont de diodes.
Le circuit « ersatz » à MOSFET est largement exagéré et je ne vois pas quel avantage pratique il apporte. Le remplacement d’un redresseur sélénium ou d’une valve à vide par des diodes au silicium peut simplement se faire diode par diode. Pour compenser la différence de la résistance interne, une résistance devient nécessaire et ses caractéristiques dépendent surtout de celles des diodes à remplacer. Dans le cas d’un secteur monophasé, on peut même utiliser une seule résistance, peu importe qu’une, deux ou quatre diodes soient à remplacer.
Quant à la dite amélioration possible, elle provient simplement du courant de pointe plus important que la diode de remplacement sera capable par rapport à la diode à remplacer. Une capacité de filtrage plus importante sera alors possible, mais avec l’inconvénient d’un rendement plus faible. Mais cela ne concerne pas le filtrage à inductance en tête.
Pour les capas en // sur les diodes de redressement leur suppression peut a la rigueur se justifier sur
de très grosses séries.
Les ennuis subtils liés a leur absence nécessitent des heures d’investigations et des mesures
couteuses type CEM qui me font les conseiller dans tous les autres cas.
pas du tout , cela dépends du courant demandé au redresseur
l’effet snap off ( stockage des charges dans la jonction appelés en bon trançais temps de recouvrement inversre ou Trr dans les docs ) est directement fonction du courant direct demandé a la diode
pour la HT ou on parle de qq dizaines de mA jamais plus de 0.1A c’est inutile
il n’en va pas de meme pour un redressement de puissance de QQ ampères ( une alim par exemple qui sert a alimenter les filaments d’anciens tubes a chauffage direct) la on entend parfaitement le grésillement caractéristique du pont redresseur
Il n’y a pas que l’effet snap off que je ne connais pas.
Il y a l’effet varicap et le simple fait que le circuit de la diode soit ouvert ou fermé au rythme de 50Hz
Un tel circuit placé dans un champ électromagnétique comme un oscillateur local non blindé du
Bluetooth ou du wifi crée une modulation parasite.Les conséquences vont d’insignifiantes a catastrophiques et sont très difficiles a évaluer ou mettre en évidence.
Hmmm… Il me faudra un peu de temps pour digérer ça!
Du coup intuitivement parlant les 4 capas en // sur le pont de redressement de mon Grundig sont là parce que comme c’est un appareil à transistors le courant demandé est plus important.
D’accord mais entre blinder l’OL et 4 capas a 10 centimes y avait pas photo.
L’OL etait autour de 400Mega et le defaut minime audible sur un scanner en NBFM.
Je reviens sur ce fil pour rajouter quelques informations sur le sujet du remplacement d’un redresseur selenium par un equivalent utilisant un MOSFET afin de ramener la tension de sortie au niveau voulu.
Sur cette page on peut voir une réalisation ajustable sympathique et disponible à qui voudrait l’utiliser.
Ce circuit a été inspiré par une idée présentée dans une page anglophone parlant de MOSFET follies ou il est question de la réalisation d’un réducteur HT entre autres.
Sur ce commentaire de bon sens une réponse sur l’intérêt de ce circuit pourrait être de pouvoir l’utiliser sans avoir la complication de chercher chaque fois la bonne valeur de résistance chutrice à mettre en fonction du contexte d’utilisation.
Enfin, sur la problématique du remplacement des redresseurs de ce type, cet article en anglais est un résumé assez complet.
oui, ces valeurs sont bien exagérées, habituellement on prend plutôt 5 à 10nF pour une valve , ou des diodes de redressement « normales » …Ou 1 à 2 nF pour des diodes de redressement « rapides » .
Au sujet de la réduction de la HT nécessaire suite au replacement d’un redresseur Sélénium par un pont de diodes, il est intéressant de jeter un coup d’œil sur ce circuit à base de MOSFET proposé en kit par une boîte américaine
Il faudrait en fonction de l’inductance du transformateur qui précède calculer la fréquence de résonance du circuit LC qui en résulte afin de déduire si la capacitance est exagérée ou pas.
Plus C est grand plus la fréquence sera basse avec un résultat de filtrage plus prononcé en RF.
Donc j’ai tendance à dire que le 100nF est plutôt approprié.
Tant qu’à utiliser un Mosfet, plutôt lui adjoindre une diode Zener HT (250, 300, 350V, etc.)
entre gate et masse, un petit radiateur, et de l’utiliser en régulateur série !
(Avec les Mosfet, n’oubliez pas une autre petite Zener d’environ 12v entre gate et source).
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ou il est question de la réalisation d’un réducteur HT entre autres.
